Vers 1960 A partir de 1960-70, les semiconducteurs de puissance au SILICIUM (diodes, thyristors, transistors de puissance, GTO, IGBT …), grâce à leurs performances très supérieures à celles des composants de puissance précédents, ont permis l’essor de l’ELECTRONIQUE DE PUISSANCE.L’empilage présenté est formé de quatre demi-ponts (voir 2.6.1). Chacun est constitué de deux diodes au silicium brasées sur le même dissipateur en aluminium. Ces diodes viennent d'une alimentation de laboratoire permettant d'obtenir 20 A sous 80 V ou 80 A sous 20 V. Dimension des radiateurs : 18 x 9 cm Longueur hors tout de l’empilage : 31 cm
Inventaire : Ph 1.80
